접촉공정에서 건식각 특성

• 영문명: The Dry Etching Characteristics in Contact Process
• 발행기관: 한국응용과학기술학회 (구.한국유화학회)
• 저자명: 이창원(Lee, Chang-Weon) 김재정(Kim, Jae-Jeong) 김대수(Kim, Dae-Su) 이종대(Lee, Jong-Dae)
• 간행물 정보: 『한국응용과학기술학회지』한국유화학회지 제16권 제1호, 105~115쪽, 전체 11쪽
• 주제분류: 공학 > 화학공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 1999.03.30

영문 초록

P-type의 단결정 실리콘 위에 $1000{\AA}$ 수식 이미지의 열산화막을 성장시킨후 $5500{\AA}$ 수식 이미지의 다결정 실리콘으로 증착된 시료를 가지고 $HBr/Cl_2/He-O_2$ 수식 이미지 혼합기체로 식각할 때 시료의 식각 특성에 관한 $H_2-O_2$ 수식 이미지 기체함량. RF 전력, 압력에 대한 영향을 XPS(X-ray photoelectron Spectroscopy)와 SEM(Scanning Electron Microscopy)으로 조사하였다. $HBr/Cl_2/He-O_2$ 수식 이미지 혼합기체로 식각되는 동안 형성된 다결정 실리콘 식각속도는 $H_2-O_2$ 수식 이미지 함량 증가에 따라 증가하였으며 식각잔유물은 RF 전력과 압력변화에 의해 영향은 받지 않는 것으로 나타났으며, 다결정 실리콘 측벽에서의 증착속도는 낮은 RF전력과 높은 압력에서 높게 나타났다. 다결정 실리콘 식각 잔유물의 결합에너지는 안정한 $SiO_2$ 수식 이미지인 열산화막의 경우보다 높으므로 식각 잔유물은 $SiO_{\chi}({\chi} 수식 이미지>2)$ 수식 이미지의 화합결합을 가지는 산화물과 같은 잔유물로 생각된다.