유기박막 트랜지스터용 PVP (poly-4-vinylphenol) 게이트 절연막의 제작과 특성

• 영문명: Preparation and Properties of PVP (poly-4-vinylphenol) Gate Insulation Film For Organic Thin Film Transistor
• 발행기관: 한국마이크로전자및패키징학회
• 저자명: 백인재 유재혁 임현승 장호정 박형호
• 간행물 정보: 『마이크로전자 및 패키징학회지』제12권 제4호, 359~363쪽, 전체 5쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2005.12.31

국문 초록

유기 박막트랜지스터 (OTFT)를 제작하기 위하여 게이트 절연막으로서 PVP 계통의 유기막을 갖는 MIM(metal-insulator-metal)구조의 유기 절연층 소자를 제작하였다. 유기 절연층의 형은 ITO/Glass 기판위에 polyvinyl 계열의 PVP(poly-4-vinylphenol)를 용질로, PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate)를 용매로 사용하여 co-polymer PVP를 제조하였다. 또한 열경화성 수지인 poly(melamine-co-formaldehyde)를 경화제로 사용하여 cross-linked PVP 절연막을 합성하였다. 유기 절연층의 전기적 특성은 co-polymer PVP 소자에 비해 cross-link 방식으로 제조된 소자에서 약 300 pA의 낮은 누설전류와 상대적으로 낮은 잡음전류의 특성을 나타내었다. 또한 cross-linked PVP 절연막에서 보다 양호한 표면형상 (거칠기)이 관찰되었으며 정전용량 값은 약 0.11~0.18 nF의 값을 나타내었다.

영문 초록

The organic insulation devices with MIM (metal-insulator-metal) structures as PVP gate insulation films were prepared for the application of organic thin film transistors (OTFT). The co-polymer organic insulation films were synthesized by using PVP(poly-4-vinylphenol) as solute and PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate) as solvent. The cross-linked PVP insulation films were also prepared by addition of poly (melamine-co-formaldehyde) as thermal hardener. The leakage current of the cross-linked PVP films was found to be about 300 pA with low current noise. and showed better property in electrical properties as compared with the co-polymer PVP insulation films. In addition, cross-linked PVP insulation films showed better surface morphology (roughness), showing about 0.11~0.18 nF in capacitance for all PVP film samples.

목차

1. 서론

2. 실험 방법

3. 실험결과

4. 결론

감사의 글

참고문헌

키워드

cross-linked PVP PVP insulator organic insulator gate insulation layer Poly-4-vinylphenol