SOI 응용을 위한 반도체-원자 초격자 다이오드의 광전자 특성

• 영문명: Optoelectronic Properties of Semiconductor-Atomic Superlattice Diode for SOI Applications
• 발행기관: 한국마이크로전자및패키징학회
• 간행물 정보: 『마이크로전자 및 패키징학회지』제10권 제3호, 83~88쪽, 전체 6쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2003.09.30

국문 초록

증착온도와 어닐링 조건에 따른 반도체-원자 초격자 구조의 광전자특성이 연구되었다. 나노결정의 Si-O 초격자 구조는 MBE 시스템에 의해 형성되었다. 다층의 Si-O 초격자 다이오드는 매우 안정한 포토루미네슨스 특성과 높은 브레이크다운 전압을 갖는 양호한 절연 특성을 나타내었다. 이러한 결과는 미래의 초고속 및 저전력 CMOS 소자에서 SOI 구조의 대체 방안으로 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 실리콘계 광전자 소자 및 양자 전자 소자에도 응용될 수 있을 것이다.

영문 초록

The optoelectronic characteristics of semiconducto-atomic superlattice as a function of deposition temperature and annealing conditions have been studied. The nanocrystalline silicon/adsorbed oxygen superlattice formed by molecular beam epitaxy(MBE) system. As an experimental result, the superlattice with multilayer Si-O structure showed a stable photoluminescence(PL) and good insulating behavior with high breakdown voltage. This is very useful promise for Si-based optoelectronics and quantum devices as well as for the replacement of silicon-on-insulator (SOI) in ultra-high speed and lower power CMOS devices in the future, and it can be directly integrated with silicon ULSI processing.

목차

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

참고문헌

키워드

Superlattice Nanocrystalline Optoelectronics Molecular beam epitaxy(MBE) Photoluminescence Silicon-on-insulator(SOI) Quantum Raman scattering