3D 패키징을 위한 Scallop-free TSV와 Cu Pillar 및 하이브리드 본딩

• 영문명: Scallop-free TSV, Copper Pillar and Hybrid Bonding for 3D Packaging
• 발행기관: 한국마이크로전자및패키징학회
• 저자명: 장예진 정재필
• 간행물 정보: 『마이크로전자 및 패키징학회지』제29권 제4호, 1~8쪽, 전체 8쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2022.12.31

국문 초록

TSV 기술을 포함한 고밀도, 고집적 패키징 기술은 IoT, 6G/5G 통신, HPC (high-performance computing)등여러 분야에서 중요한 기술로 여겨지고 있다. 2차원에서 고집적화를 달성하는 것은 물리적 한계에 도달하게 되었으며, 따라서 3D 패키징 기술을 위하여 다양한 연구들이 진행되고 있다. 본 고에서는 scallop의 형성 원인과 영향, 매끈한 측벽을만들기 위한 scallop-free 에칭 기술, TSV 표면의 Cu bonding에 대해서 자세히 조사하였다. 이러한 기술들은 고품질 TSV 형성 및 3D 패키징 기술에 영향을 줄 것으로 예상한다.

영문 초록

High-density packaging technologies, including Through-Si-Via (TSV) technologies, are considered important in many fields such as IoT (internet of things), 6G/5G (generation) communication, and high-performance computing (HPC). Achieving high integration in two dimensional packaging has confronted with physical limitations, and hence various studies have been performed for the three-dimensional (3D) packaging technologies. In this review, we described about the causes and effects of scallop formation in TSV, the scallop-free etching technique for creating smooth sidewalls, Cu pillar and Cu-SiO2 hybrid bonding in TSV. These technologies are expected to have effects on the formation of highquality TSVs and the development of 3D packaging technologies.

목차

1. 서 론

2. Scallop-free 에칭

3. Cu Pillar Bump와 접합

4. 하이브리드 본딩 (Hybrid Bonding)

5. 결 론

사 사

References

키워드

Three dimensional packaging Through-Si-Via (TSV) Scallop-free Cu bonding