반도체 배선용 저 유전 물질에서의 구리 확산에 대한 전기적 신뢰성 평가

• 영문명: Characterization of Electrical Properties on Cu Diffusion in Low-k Dielectric Materials for ULSI Interconnect
• 발행기관: 한국마이크로전자및패키징학회
• 간행물 정보: 『마이크로전자 및 패키징학회지』제11권 제3호, 9~15쪽, 전체 7쪽
• 주제분류: 공학 > 산업공학
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2004.09.30

국문 초록

PMSSQ (Poly Methyl Silsesquioxane)-based matrix에 BTMSE (Bis Tri Methoxy Silyl Ethane) 를 첨가한 low-k물질의 전기적 특성을 조사하였다. 우리는 절연체로 copolymer를 사용하여 금속-절연체 -실리콘 구조를 만들고 BTS 실험을 통하여 누설 전류와 파괴 시간을 측정하였다. 코 폴리머의 기공이 30% 이상이 되었을 때, 파괴 시간이 급속하게 감소되어 진다. 온도에 관하여 파괴 시간으로부터 코 폴리머를 통한 구리 확산의 활성화 에너지는 1.51eV가 측정되었다.

영문 초록

We investigated the electrical properties of copolymer low-k materials that are compromised of the PMSSQ(Poly Methyl Silsesquioxane)-based matrix with the BTMSE (Bis Tri Methoxy Silyl Ethane) additives. We manufactured MIS-type test samples using the copolymer as the insulator and measured their leakage current and failure time by means of the BTS (bias-temperature-stress) test. The failure time was observed to decrease drastically when the porosity of the copolymer was increased over 30%. From the measurement of failure time with respect to temperature. the activation energy of Cu drift through the copolymer was calculated to be 1.51 eV.

목차

1. 서론

2. 실험 방법

3. 실험결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

참고문헌

키워드

Low-k materials Cu drift Reliability TDDB C-V