ReRAM 소자의 비정질물질 Ag도핑에 따른 특성 향상에 대한 연구

• 영문명: Improving Uniformity of ReRAM Devices by Ag-Nanocrystal Doping
• 발행기관: 한국산업기술융합학회(구. 산업기술교육훈련학회)
• 저자명: 김강(Kang Kim) 이호준(Hojun Lee)
• 간행물 정보: 『산업기술연구논문지』산업기술연구논문지 제26권 2호, 33~38쪽, 전체 6쪽
• 주제분류: 공학 > 공학일반
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2021.06.30

영문 초록

The most popular devices in next-generation computer memory technology are the phase change RAM (PRAM), nano-floating gate memory (NFGM), resistance RAM (ReRAM), polymer RAM (PoRAM), magnetic RAM (MRAM), and molecular electronic devices. Amongst these, ReRAM is the most-researched candidate for nonvolatile memory technologies due to its simple metal-insulator-metal (MIM) structure and excellent operational characteristics. However, it faces obstacles such as high production costs and insufficient uniformity. This study aims to tackle the latter problem by spin-coating Ag nanoparticles on the upper electrode to improve the uniformity characteristics.

목차

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. 연구목표

Ⅲ. 동작원리

Ⅳ. 실험방법

Ⅴ. 결 과

Ⅵ. 최근의 기술 동향

Ⅶ. 고 찰

키워드

균일성특성 칼코게나이드이원화합물 은 극소량입자 보상전류 비휘발성 Uniformity Characteristics Chalcogenide Ag Nanoparticles Compliance Current Nonvolatile