- 영문명
- Silicon Electro-optic Orbital Angular Momentum Sign Modulator for Photonic Integrated Circuit
- 발행기관
- 한국전자통신학회
- 저자명
- 이인준(In-Joon Lee) 김상인(Sang-In Kim)
- 간행물 정보
- 『한국전자통신학회 논문지』제15권 제4호, 659~664쪽, 전체 6쪽
- 주제분류
- 공학 > 전자/정보통신공학
- 파일형태
- 발행일자
- 2020.08.31

국문 초록
본 논문에서는 실리콘 기반의 광 집적회로에서 외부 전압 조절을 통해 |l|=1 궤도 각운동량 모드의 궤도 각 양자수를 변조할 수 있는 전기 광학 변조기를 설계하였다. 설계된 전기 광학 변조기는 위치별로 서로 다른 도핑농도를 가지는 실리콘 코어와 실리콘 산화막으로 구성되어 있으며, 도핑농도의 분포를 통해 궤도 각운동량모드를 구성하는 두 고유 모드의 전파 손실과 유효굴절률 변화량을 조절할 수 있도록 설계되었다. 변조기는 역전압을 기준으로 -0.33V에서는 궤도 각운동량 모드의 부호가 유지되는 광도파로로, 10V에서는 궤도 각양자수 부호 변환기로서 동작한다. 고유 모드 확장법으로 계산한 신호변조 후의 전기장 분포를 통해 얻은 궤도 각양자수는 두 동작모드에서 모두 |l|>0.92 으로 매우 높은 궤도 각운동량 모드 순도를 보였다.
영문 초록
In this paper, we propose a silicon-based electro-optic (EO) modulator which can modulate a sign of a topological charge number l of |l|=1 orbital angular momentum (OAM) mode. The proposed EO modulator consists of position-dependent doped Si waveguide core and undoped SiO2, cladding, which enables control of the effective index and propagation loss of two OAM constitutive eigenmodes. The modulator functions as OAM mode maintaining waveguide at -0.33V and as topological charge sign inverter at 10V. The output OAM mode purity is calculated through electric field distribution, showing high purity of |l|>0.92 in both cases.
목차
Ⅰ. 서 론
Ⅱ. 설계 및 분석
Ⅲ. 결론
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