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UV 센서 응용을 위한 SiC MIS 소자에 관한 연구

이용수 20

영문명
A study on the SiC Mk> devices for U V sensor applications
발행기관
호서대학교 공업기술연구소
저자명
구경완(Kyung一Wan Koo) 정순원(Soon一Won Jung)
간행물 정보
『공업기술연구 논문집』제25권 제1호, 191~198쪽, 전체 8쪽
주제분류
공학 > 제어계측공학
파일형태
PDF
발행일자
2006.06.30
이용가능 이용불가
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논문 표지

국문 초록

영문 초록

In this paper, we propose aluminum nitride(AlN) thin film as gate insulating material instead of SiC )2 on 6H~SiC MIS devices. For quite a low lattice misfit with SiC, AIN is as attractive as new gate insulating material in SiC devices. The fabrication of aluminium nitride (AIN) films directly on 6 H-S 1 ᄂ(0001) substrates by reactive magnetron sputtering method has been performed with rapid thermal annealing at a temperature range 01 ZOO 1000 °C in nitrogen ambient for enhancement of crystallization of films. The structural properties of AIN films on 6H-SiC(0001) by RTA analysed by XRD(X-Ray diffraction). The A1N(0002) peaks was clearly found. The dielectric constant of deposited films was obtained as around 8.4 from the accumulation region of capacitance-voltage curve. It is almost the same value with the bulk AIN. Also, the gate leakage current density of the MIS capacitor was 10 9 A/cm2 order within the electric field of 2 MV/cm. The amount of Djt was evaluated as about 5X1010 eV_1cm at a location of 0.5 eV from the midgap.

목차

I ■ 서 론
n. 실험 방법
m . 결고ᅡ 및 고찰
IV. 결 론

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APA

구경완(Kyung一Wan Koo),정순원(Soon一Won Jung). (2006).UV 센서 응용을 위한 SiC MIS 소자에 관한 연구. 공업기술연구 논문집, 25 (1), 191-198

MLA

구경완(Kyung一Wan Koo),정순원(Soon一Won Jung). "UV 센서 응용을 위한 SiC MIS 소자에 관한 연구." 공업기술연구 논문집, 25.1(2006): 191-198

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