용액공정으로 제작된 2 nc-tin 산화물 박막 트랜지스터와 Aluminum 산화물 절연체

• 영문명: Solution-processed Zinc-tm Oxiae Thm-film Transistors with Solution-processed Aluminum Oxide Gate Dielectric
• 발행기관: 호서대학교 공업기술연구소
• 저자명: 이승현(Seung-Hyun Lee) 최운섭(Woon-Seop Chooi)
• 간행물 정보: 『공업기술연구 논문집』제32권 제2호, 53~58쪽, 전체 6쪽
• 주제분류: 공학 > 공학일반
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2013.12.30

국문 초록

용액공정을. 활용한 A120 3게이트 절연체의 적용을 통해 우수한 전기적 특성을 갖는 Zinc-tin Oxide 박막 트랜지스터를 제작하였다. 제작된 소자는 18.0 cm2V-1s_1 의 mobility와 3.05x10s의 O n/O ff current ratio, 2.93 V의 문턱전압, 0.78 V dec_1 의 Subthreshold slop를 갖는 우수한 TFT로 , 이는 Siᄋ 2 를절연체로 활용한 ZTO TFT의 전기적 특성보다 비교적 우수한 결과로서, 절연체의 구성이 TFT 구동 성능에 중요한 역할을 한다는 것을 알 수 있다.

영문 초록

We prepared a solution-processed ZTO TFT with good electrical properties by using solution-processed AI 2 O 3 gate insulator. A TFT device showed a mobility of 18.0 cm V ^s \ a current ratio of 3.05xl05, a threshold voltage of 2.93 V, a subthreshold slope of 0.78 V dec \ which are better properties than a conventional ZTO TFT with Siᄋ 2 gate insulator. Gate insulator plays a key role in TFT properties.

목차

I. Introduction

II. Experimental

III. Results and Discussion

IV. Conclusion

키워드

AI 2 O 3 Dielectric Gate Insulator Oxide TFT