Indium interruption growth법으로 성장시킨 InAs 양자점의 광학적 특성 연구

• 발행기관: 강원대학교 기초과학연구소
• 저자명: 강현구 김진웅 이남관 류미이
• 간행물 정보: 『기초과학연구』제19집, 53~59쪽, 전체 7쪽
• 주제분류: 자연과학 > 자연과학일반
• 파일형태: PDF
• 발행일자: 2008.12.30

국문 초록

S-K (Stranski-Krastanove) 성장 모드로 GaAs(100) 기판 위에 분자선 박막 성장법(molecular beam epitaxy)를 이용하여 성장한 InAs 양자점 (quantum dots; QDs)의 광학적 특성을 연구하였다. 양자점의 광 특성은 PL (photoluminescence) 측정을 이용하여 분석하였다. InAs 양자점 시료는 양자점 성장 동안 As는 계속 공급하면서 In 셔터(shutter)를 1초 열고, 9초, 19초, 29초, 또는 39초 셔터를 닫는 방식 (indium interruption growth법)을 이용하여 성장하였다. 기준 시료 (reference sample)로 양자점 성장 동안 In 공급을 중단하지 않고 30초 동안 성장한 시료를 사용하였다. In 차단 시간을 증가함에 따라 양자점의 PL 피크 (peak)는 장파장으로 이동하고, 반치폭 (full width at half maximum; FWHM)은 감소하였다. FWHM의 감소는 In 차단 법에 의해 균일한 InAs 양자점이 성장되었음을 나타낸다. In 차단 시간을 조절함으로써 양자점의 크기와 밀도를 조절할 수 있으므로 원하는 파장대의 양자점을 성장할 수 있다.

목차

요약

1. 서론

2. 재료 및 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

5. 참고문헌