반도체 제조 공정과 단위 소자의 이해
2025년 01월 05일 출간
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- ISBN 9791142110580
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작품소개
이 상품이 속한 분야
이 책이 반도체 산업에 종사하는 전문가들뿐만 아니라, 반도체에 관심 있는 학생들과 일반인들에게도 유용한 지식을 제공할 수 있기를 바랍니다.
■ 반도체의 개념과 분류 | 6p
■ 반도체 제조 공정과 소자 | 20p
제2장 반도체 단위 소자의 기본 구조 및 동작 원리
■ 가장 기초적인 반도체 소자 : PN접합과 다이오드 | 28p
■ MOS커패시터 구조와 동작 원리 | 33p
■ MOSFET 구조와 동작 원리 | 39p
제3장 반도체 단위 소자의 동작 파라미터
■ MOSFET 반도체 소자의 전류-전압 특성 분석 | 45p
■ MOSFET반도체 소자의 동작 파라미터 | 59p
제4장 차세대 반도체 단위 소자의 특징과 종류
■ MOSFET반도체 소자의 용도 | 64p
■ 다양한 형태의 차세대 MOSFET반도체 소자 | 69p
제5장 실리콘 웨이퍼의 필요성
■ 실리콘 소재의 특징 | 84p
■ 실리콘 잉곳 생산 방법 | 91p
■ 실리콘 웨이퍼 생산 과정 | 99p
제6장 반도체 공정 및 시설에 대한 이해
■ 반도체 IC Chip 제조 과정 개요 | 110p
■ 반도체 공정에서 수율 및 청정실의 개념 | 116p
제7장 포토리소그래피 공정
■ 반도체 IC Chip 제조 과정에서 포토리소그래피 공정의 개요 | 136p
■ 포토레지스트의 구성 및 개요 | 139p
■ 포토리소그래피 공정 과정 | 145p
■ 리소그래피 기술의 중요 파라미터 및 트렌드 | 157p
제8장 반도체 열처리 공정
■ 반도체 IC Chip 제조 과정에서 열처리 공정의 개요 | 166p
■ 열처리 공정의 종류 및 특징 | 168p
제9장 반도체 이온주입 공정
■ 반도체 IC Chip 제조 과정에서 이온주입 공정의 개요 | 193p
■ 이온 주입의 기초 및 주요 현상 | 199p
■ 이온 주입 공정의 적용 | 212p
제10장 반도체 식각 공정
■ 반도체 IC Chip 제조 과정에서 식각 공정의 개요와 중요 파라미터 | 221p
■ 습식 식각 공정의 기본 | 236p
■ 건식 식각 공정의 기본 | 242p
제11장 반도체 화학 기상 증착(CVD)공정과 유전체 박막
■ 반도체 IC Chip 제조 과정에서 CVD 공정의 개요와 기본 개념 | 250p
■ CVD 공정의 중요현상과 파라미터 이해 | 259p
제12장 반도체 CMP공정
■ 반도체 IC Chip 제조 과정에서 CMP공정의 개요와 기본 개념 | 274p
■ CMP 공정을 포함하는 표면 평탄화 공정의 종류 | 279p
■ CMP 공정의 세부 요소 및 응용 예시 | 285p
이 책은 반도체의 개념과 분류, 제조 공정과 소자, 그리고 다양한 단위 소자의 기본 구조와 동작 원리를 다루고 있습니다. 또한, 반도체 제조 과정에서 중요한 포토리소그래피, 열처리, 이온 주입, 식각, 화학 기상 증착(CVD), CMP 공정 등을 상세히 설명합니다. 이를 통해 독자들은 반도체 산업의 전반적인 이해를 높일 수 있을 것입니다.
특히, 이 책에서는 차세대 반도체 소자의 특징과 종류를 소개하여 미래의 기술 발전 방향을 제시합니다. 또한, 실리콘 웨이퍼의 필요성과 반도체 공정 및 시설에 대한 이해를 통해 반도체 제조의 기초를 다질 수 있도록 하였습니다.
작가정보
저자(글) 고속비행오리406
- 작가 주요 경력 -
★ 제조사 근무 경력 17년(SCM, 생산, 품질관리, 인사 등 업무 담당)
★ 직업능력개발훈련교사
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